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產品參考圖片
IRF6662TR1PBF 圖片
IRF6662TR1PBF
  • 制造廠商：IR（國際整流器公司）
  • 類別封裝：單端場效應管，DIRECTFET
  • 技術參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
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    技術參數(shù)詳情：
  • 制造商產品型號：IRF6662TR1PBF
  • 制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
  • 系列：HEXFET
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：標準
  • 漏源極電壓 (Vdss)：100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：8.3A（Ta），47A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：22 毫歐 @ 8.2A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 100μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：31nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1360pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：2.8W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 產品封裝：DirectFET 等容 MZ
  • 供應商器件封裝：DIRECTFET MZ
  • 現(xiàn)在可以訂購IRF6662TR1PBF，國內庫存當天發(fā)貨，國外庫存7-10天內發(fā)貨。
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