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產品參考圖片

IRF8113GPBF

制造廠商：IR（國際整流器公司）

類別封裝：單端場效應管，8-SO

技術參數：MOSFET N-CH 30V 17.2A SO-8

（專注銷售IR電子元器件，承諾原裝！現貨當天發(fā)貨�。�

（您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）

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技術參數詳情：

制造商產品型號：IRF8113GPBF

制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購

描述：MOSFET N-CH 30V 17.2A SO-8

系列：HEXFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：17.2A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：5.6 毫歐 @ 17.2A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：36nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2910pF @ 15V

功率 - 最大值：2.5W

安裝類型：表面貼裝

產品封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商器件封裝：8-SO

現在可以訂購IRF8113GPBF，國內庫存當天發(fā)貨，國外庫存7-10天內發(fā)貨。

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