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產(chǎn)品參考圖片
IRL6372PBF 圖片
IRL6372PBF
  • 制造廠商：IR（國際整流器公司）
  • 類別封裝：場(chǎng)效應(yīng)管陣列，8-SO
  • 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
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    技術(shù)參數(shù)詳情：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IRL6372PBF
  • 制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購
  • 描述：MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
  • 系列：HEXFET
  • FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss)：30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：8.1A
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：17.9 毫歐 @ 8.1A，4.5V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 10μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：11nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1020pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：2W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 產(chǎn)品封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
  • 供應(yīng)商器件封裝：8-SO
  • 現(xiàn)在可以訂購IRL6372PBF，國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨，國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
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