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產品參考圖片

SI4435DYTR

制造廠商：IR（國際整流器公司）

類別封裝：單端場效應管，8-SO

技術參數：MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

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技術參數詳情：

制造商產品型號：SI4435DYTR

制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購

描述：MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

系列：HEXFET

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：8A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：20 毫歐 @ 8A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：60nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2320pF @ 15V

功率 - 最大值：2.5W

安裝類型：表面貼裝

產品封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商器件封裝：8-SO

現在可以訂購SI4435DYTR，國內庫存當天發(fā)貨，國外庫存7-10天內發(fā)貨。

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